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BAY80中文资料

BAY80图片

BAY80外观图

  • 大小:460.53KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:AXIAL LEADED SWITCHING DIODES BAY80 DO-35 Glass Case approx. 0.13g Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.) Symbol Value Unit V RRM 150 V V RM 120 V Maximum Continuous Forward Current I F 250 mA Maximum Average Forward Current I F(AV) mA Maximum Repetitive Peak Forward Current I FRM 625 mA Maximum Non-repetitive Peak Forward Current at t = 1ms, Tj = 25 °C I FSM 1A Maximum Power Dissipation P D 400 mW Maximum Junction Temperature T J 175 °C Storage Temperature Range T S -65 to + 175 °C Electrical Characteristics (T J = 25 °C unless otherwise noted) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit V R = 120 V - - 100 nA V R = 120 V, Tj = 150 °C - - 100 μA Forward Voltage V F I F = 10 mA 0.65 - 0.80 I F = 50 mA 0.73 - 0.92 I F = 100 mA 0.78 - 1.00 I F = 150 mA - - 1.07 Diode Capacitance Cd - - 6 pF I F = 30mA , I R = 30mA I RR = 3mA , R L = 100 Ω measured at I R = 3 mA 200 V ns 50 - - Test Condition Reverse Recovery T
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):150V
  • 电流 - 平均整流 (Io):200mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 150mA
  • 速度:小信号 =
  • 反向恢复时间(trr):60ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 120V
  • 电容@ Vr, F:6pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商设备封装:DO-35
  • 包装:散装

BAY80供应商

更新时间:2023-01-03 13:41:26
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